Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
AONS21309C
Product Overview
Производител:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Номер на част:
AONS21309C-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 70A 5X6 DFN
Подробно описание:
P-Channel 30 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Инвентар:
2620 Брой Нови Оригинални На Склад
12968548
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
AONS21309C Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
70A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
7300 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
125W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-DFN (5x6)
Опаковка / Калъф
8-PowerSMD, Flat Leads
Основен номер на продукта
AONS213
Технически данни и документи
HTML Технически лист
AONS21309C-DG
Технически данни
AONS21309C
Технически листове
AONS21309C
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
5202-AONS21309CTR
785-AONS21309CTR
785-AONS21309CCT
785-AONS21309CDKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
AOTF600A70L
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220F
2SJ471-E
POWER MOSFET
UJ3C120080K3S
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
AOT190A60CL
MOSFET N-CH 600V 20A TO220