Номер на продукта на производителя:
AOW11N60
Product Overview
Производител:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Номер на част:
AOW11N60-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Подробно описание:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 272W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентар:
773 Брой Нови Оригинални На Склад
12848212
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
XRqT
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
AOW11N60 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Опаковане
Tube
Поредица
-
Състояние на продукта
Not For New Designs
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
11A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
700mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1990 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
272W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-262
Опаковка / Калъф
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Основен номер на продукта
AOW11
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Чертежи на продукта
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
785-1426-5
5202-AOW11N60
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
HUF75343S3
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
AO7405
MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-6
FDS7096N3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
