DMG5802LFX-7
Номер на продукта на производителя:

DMG5802LFX-7

Product Overview

Производител:

Diodes Incorporated

Номер на част:

DMG5802LFX-7-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Подробно описание:
Mosfet Array 24V 6.5A 980mW Surface Mount W-DFN5020-6

Инвентар:

2929 Брой Нови Оригинални На Склад
12884222
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
6fzt
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

DMG5802LFX-7 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Функция на FET
Logic Level Gate
Източване към източникаtage (Vdss)
24V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
6.5A
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
31.3nC @ 10V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1066.4pF @ 15V
Мощност - Макс
980mW
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
6-VFDFN Exposed Pad
Пакет устройства на доставчика
W-DFN5020-6
Основен номер на продукта
DMG5802

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
3,000
Други имена
DMG5802LFX-7DITR-DG
DMG5802LFX-7DICT
DMG5802LFX-7DICT-DG
DMG5802LFX7
DMG5802LFX-7DITR
DMG5802LFX-7DIDKR
DMG5802LFX-7DIDKR-DG
31-DMG5802LFX-7CT
31-DMG5802LFX-7TR
31-DMG5802LFX-7DKR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
diodes

DMNH6042SSD-13

MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO

diodes

DMC25D0UVT-13

MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT23

diodes

DMP4025LSD-13

MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO

diodes

DMN1150UFL3-7

MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN