DMG6402LVT-7
Номер на продукта на производителя:

DMG6402LVT-7

Product Overview

Производител:

Diodes Incorporated

Номер на част:

DMG6402LVT-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Подробно описание:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 1.75W (Ta) Surface Mount TSOT-26

Инвентар:

26413 Брой Нови Оригинални На Склад
12900401
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
LNCG
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

DMG6402LVT-7 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
6A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
498 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.75W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TSOT-26
Опаковка / Калъф
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Основен номер на продукта
DMG6402

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
3,000
Други имена
DMG6402LVT-7DICT
DMG6402LVT-7DIDKR
DMG6402LVT-7DITR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
diodes

DMN33D8LTQ-13

MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523

taiwan-semiconductor

TSM4436CS RLG

MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SOP

diodes

DMN13H750S-7

MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM600N25ECH C5G

MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251