Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
ДР Конго
Аржентина
Турция
Румъния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
Италия
Финландия
Беларус
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Черна гора
Руски
Белгия
Швеция
Сърбия
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Молдова
Германия
Холандия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
DMN1003UCA6-7
Product Overview
Производител:
Diodes Incorporated
Номер на част:
DMN1003UCA6-7-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Подробно описание:
Mosfet Array 2.67W Surface Mount X3-DSN3518-6
Инвентар:
3000 Брой Нови Оригинални На Склад
12888044
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
DMN1003UCA6-7 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция на FET
-
Източване към източникаtage (Vdss)
-
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (макс.) @ id
1.3V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
56.5nC @ 4.5V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3315pF @ 6V
Мощност - Макс
2.67W
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
6-SMD, No Lead
Пакет устройства на доставчика
X3-DSN3518-6
Основен номер на продукта
DMN1003
Технически данни и документи
HTML Технически лист
DMN1003UCA6-7-DG
Технически данни
DMN1003UCA6
Технически листове
DMN1003UCA6-7
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
DMN1003UCA6-7DITR
31-DMN1003UCA6-7DKR
DMN1003UCA6-7-DG
DMN1003UCA6-7DIDKR-DG
DMN1003UCA6-7DITR-DG
31-DMN1003UCA6-7TR
DMN1003UCA6-7DIDKR
DMN1003UCA6-7DICT
DMN1003UCA6-7DICT-DG
31-DMN1003UCA6-7CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
DMN4031SSD-13
MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
DMP31D7LDW-7
MOSFET 2P-CH 0.55A SOT363
DMGD7N45SSD-13
MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SO
DMNH6021SPDWQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50