Номер на продукта на производителя:
DMN1045UFR4-7
Product Overview
Производител:
Diodes Incorporated
Номер на част:
DMN1045UFR4-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Подробно описание:
N-Channel 12 V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1010-3
Инвентар:
13651 Брой Нови Оригинални На Склад
12888623
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
cpVO
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
DMN1045UFR4-7 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
12 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
4.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
375 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
500mW (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
X2-DFN1010-3
Опаковка / Калъф
3-XFDFN
Основен номер на продукта
DMN1045
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
DMN1045UFR4-7DICT
DMN1045UFR4-7DIDKR
DMN1045UFR4-7DITR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
DMN3009LFVW-7
MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
DMP2040USS-13
MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
DMP3036SFG-7
MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
