Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
DMN2004K-7
Product Overview
Производител:
Diodes Incorporated
Номер на част:
DMN2004K-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Подробно описание:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Инвентар:
31687 Брой Нови Оригинални На Склад
12884103
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
k
Y
G
r
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
DMN2004K-7 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
630mA (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 250µA
Vgs (макс.)
±8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
150 pF @ 16 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
350mW (Ta)
Работна температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SOT-23-3
Опаковка / Калъф
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Основен номер на продукта
DMN2004
Технически данни и документи
HTML Технически лист
DMN2004K-7-DG
Технически данни
DMN2004K
Технически листове
DMN2004K-7
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
DMN2004KDIDKR
DMN2004KDICT
DMN2004K7
DMN2004KDITR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
DMG7401SFG-13
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
DMP4065SQ-7
MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&R
DMTH3004LFG-7
MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
DMPH4023SK3Q-13
MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R