Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
DMN2024UQ-13
Product Overview
Производител:
Diodes Incorporated
Номер на част:
DMN2024UQ-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Подробно описание:
N-Channel 20 V 6.8A (Ta) 800mW Surface Mount SOT-23-3
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12987264
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
DMN2024UQ-13 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
900mV @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
647 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
800mW
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SOT-23-3
Опаковка / Калъф
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Основен номер на продукта
DMN2024
Технически данни и документи
Технически данни
DMN2024UQ
Допълнителна информация
Стандартен пакет
10,000
Други имена
31-DMN2024UQ-13TR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
DMN2024UQ-7
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Diodes Incorporated
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2010
Номер на част
DMN2024UQ-7-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.09
Вид на замяна
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TW015N65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
2SK3714-S12-AZ
2SK3714-S12-AZ - SWITCHING N-CHA
SQ3419AEEV-T1_BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
RS6P100BHTB1
NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF