Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
DMN2310UWQ-13
Product Overview
Производител:
Diodes Incorporated
Номер на част:
DMN2310UWQ-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Подробно описание:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 450mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12979345
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
z
b
u
R
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
DMN2310UWQ-13 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
200mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
950mV @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
38 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
450mW (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SOT-323
Опаковка / Калъф
SC-70, SOT-323
Основен номер на продукта
DMN2310
Технически данни и документи
Технически данни
DMN2310UWQ
Допълнителна информация
Стандартен пакет
10,000
Други имена
31-DMN2310UWQ-13TR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
DMN2310UW-7
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Diodes Incorporated
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2344
Номер на част
DMN2310UW-7-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.02
Вид на замяна
Parametric Equivalent
НОМЕР НА ЧАСТ
DMN2310UW-13
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Diodes Incorporated
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
DMN2310UW-13-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.02
Вид на замяна
Parametric Equivalent
НОМЕР НА ЧАСТ
DMN2310UWQ-7
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Diodes Incorporated
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
DMN2310UWQ-7-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.03
Вид на замяна
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Свързани продукти
NVTFS070N10MCLTAG
PTNG 100V LL U8FL
NTMFS6H824NT1G
T8 80V U8FL
DMN10H220LFDF-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
DMT32M4LFG-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333