DMN3061SWQ-7
Номер на продукта на производителя:

DMN3061SWQ-7

Product Overview

Производител:

Diodes Incorporated

Номер на част:

DMN3061SWQ-7-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Подробно описание:
N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 490mW (Ta) Surface Mount SOT-323

Инвентар:

7000 Брой Нови Оригинални На Склад
13000370
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

DMN3061SWQ-7 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
3.3V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
1.8V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
3.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
278 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
490mW (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SOT-323
Опаковка / Калъф
SC-70, SOT-323
Основен номер на продукта
DMN3061

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
3,000
Други имена
31-DMN3061SWQ-7CT
31-DMN3061SWQ-7DKR
31-DMN3061SWQ-7TR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
taiwan-semiconductor

TSM60NB380CP

600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

goford-semiconductor

G2012

N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<18

diodes

DMP4065SK3-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R

goford-semiconductor

GC11N65M

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4