Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
ДР Конго
Аржентина
Турция
Румъния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
Италия
Финландия
Беларус
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Черна гора
Руски
Белгия
Швеция
Сърбия
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Молдова
Германия
Холандия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
DMN6013LFG-13
Product Overview
Производител:
Diodes Incorporated
Номер на част:
DMN6013LFG-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Подробно описание:
N-Channel 60 V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12888024
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
DMN6013LFG-13 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
10.3A (Ta), 45A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
55.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2577 pF @ 30 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerDI3333-8
Опаковка / Калъф
8-PowerVDFN
Основен номер на продукта
DMN6013
Технически данни и документи
HTML Технически лист
DMN6013LFG-13-DG
Технически данни
DMN6013LFG
Технически листове
DMN6013LFG-13
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
DMN6013LFG-7
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Diodes Incorporated
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
25330
Номер на част
DMN6013LFG-7-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.23
Вид на замяна
Parametric Equivalent
НОМЕР НА ЧАСТ
DMN6013LFGQ-7
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Diodes Incorporated
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1960
Номер на част
DMN6013LFGQ-7-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.28
Вид на замяна
Parametric Equivalent
НОМЕР НА ЧАСТ
TPH7R006PL,L1Q
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Toshiba Semiconductor and Storage
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
54092
Номер на част
TPH7R006PL,L1Q-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.25
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
DMN2013UFDE-7
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
DMN2011UFDE-13
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
DMNH6021SK3-13
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
DMN4034SSS-13
MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO