DMNH6069SFVWQ-13
Номер на продукта на производителя:

DMNH6069SFVWQ-13

Product Overview

Производител:

Diodes Incorporated

Номер на част:

DMNH6069SFVWQ-13-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Подробно описание:
N-Channel 60 V 5A (Ta), 18A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Инвентар:

12979254
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

DMNH6069SFVWQ-13 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
5A (Ta), 18A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
740 pF @ 30 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount, Wettable Flank
Пакет устройства на доставчика
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Опаковка / Калъф
8-PowerVDFN
Основен номер на продукта
DMNH6069

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
3,000
Други имена
31-DMNH6069SFVWQ-13TR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
diodes

DMTH31M7LPSQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506

fairchild-semiconductor

FCP25N60N-F102

MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3

diodes

DMP68D0LFB-7B

MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN100

onsemi

NVMFS4C308NWFT1G

TRENCH 30V NCH