Номер на продукта на производителя:
DMT10H010LPS-13
Product Overview
Производител:
Diodes Incorporated
Номер на част:
DMT10H010LPS-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Подробно описание:
N-Channel 100 V 9.4A (Ta), 98A (Tc) 1.2W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Инвентар:
8664 Брой Нови Оригинални На Склад
12883929
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
tifl
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
DMT10H010LPS-13 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
9.4A (Ta), 98A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3000 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.2W (Ta), 139W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerDI5060-8
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN
Основен номер на продукта
DMT10
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
DMT10H010LPS-13DIDKR
DMT10H010LPS-13DITR
DMT10H010LPS-13DICT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
DMG3418L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
DMN3024SFG-13
MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
DMN3009LFV-13
MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
