Номер на продукта на производителя:
DMT6009LSS-13
Product Overview
Производител:
Diodes Incorporated
Номер на част:
DMT6009LSS-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
Подробно описание:
N-Channel 60 V 10.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-SO
Инвентар:
8665 Брой Нови Оригинални На Склад
12889449
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
GLs9
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
DMT6009LSS-13 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
10.8A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1925 pF @ 30 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.25W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-SO
Опаковка / Калъф
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Основен номер на продукта
DMT6009
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
DMT6009LSS-13DITR
DMT6009LSS-13DIDKR
DMT6009LSS-13DICT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
2SK2744(F)
MOSFET N-CH 50V 45A TO3P
TK8A60DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
TK8A10K3,S5Q
MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
