DMT68M8LSS-13
Номер на продукта на производителя:

DMT68M8LSS-13

Product Overview

Производител:

Diodes Incorporated

Номер на част:

DMT68M8LSS-13-DG

Описание:

MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
Подробно описание:
N-Channel 60 V 28.9A (Tc) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Инвентар:

2302 Брой Нови Оригинални На Склад
12888467
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

DMT68M8LSS-13 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
28.9A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
31.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2107 pF @ 30 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.9W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-SOIC
Опаковка / Калъф
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Основен номер на продукта
DMT68

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
2,500
Други имена
DMT68M8LSS-13-DG
31-DMT68M8LSS-13CT
31-DMT68M8LSS-13DKR
31-DMT68M8LSS-13TR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
diodes

DMTH62M8SPS-13

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

diodes

DMN53D0LQ-13

MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23

nexperia

BUK7Y7R8-80EX

MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56

diodes

DMTH6005LCT

MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB