Номер на продукта на производителя:
ZXM62P02E6TA
Product Overview
Производител:
Diodes Incorporated
Номер на част:
ZXM62P02E6TA-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Подробно описание:
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Инвентар:
74480 Брой Нови Оригинални На Склад
12949516
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
ZXM62P02E6TA Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
2.7V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
5.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
320 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.1W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SOT-23-6
Опаковка / Калъф
SOT-23-6
Основен номер на продукта
ZXM62P02
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
ZXM62P02E6DKR
ZXM62P02E6CT
ZXM62P02E6TR
ZXM62P02E6TR-NDR
ZXM62P02E6
ZXM62P02E6CT-NDR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
DMN4036LK3-13
MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
DMP10H4D2S-7
MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
