Номер на продукта на производителя:
ZXM66P02N8TA
Product Overview
Производител:
Diodes Incorporated
Номер на част:
ZXM66P02N8TA-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Подробно описание:
P-Channel 20 V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Инвентар:
12904125
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
ZXM66P02N8TA Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
-
Поредица
-
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
6.4A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
43.3 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2068 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.56W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-SO
Опаковка / Калъф
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Допълнителна информация
Стандартен пакет
500
Други имена
ZXM66P02N8TR-NDR
ZXM66P02N8DKR
ZXM66P02N8CT
ZXM66P02N8TR
ZXM66P02N8CT-NDR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
DMP2022LSS-13
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Diodes Incorporated
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
37400
Номер на част
DMP2022LSS-13-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.22
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
FDS6375
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2121
Номер на част
FDS6375-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.32
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
ZVN2120GTC
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
VN10LFTA
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
ZVP2120GTC
MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
