Номер на продукта на производителя:
ZXMN3A01E6TA
Product Overview
Производител:
Diodes Incorporated
Номер на част:
ZXMN3A01E6TA-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Подробно описание:
N-Channel 30 V 2.4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Инвентар:
148497 Брой Нови Оригинални На Склад
12887600
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
FiPq
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
ZXMN3A01E6TA Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
3.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
190 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.1W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SOT-23-6
Опаковка / Калъф
SOT-23-6
Основен номер на продукта
ZXMN3
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
ZXMN3A01E6TR-DG
31-ZXMN3A01E6TACT
ZXMN3A01E6TR
ZXMN3A01E6DKR
31-ZXMN3A01E6TADKR
31-ZXMN3A01E6TATR
ZXMN3A01E6TR-NDR
ZXMN3A01E6CT-NDR
ZXMN3A01E6CT-DG
ZXMN3A01E6DKR-DG
ZXMN3A01E6CT
ZXMN3A01E6DKRINACTIVE
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
DMN2230U-7
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
DMPH4013SK3-13
MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
DMN2029UVT-7
MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
