Номер на продукта на производителя:
ZXMP10A18GTA
Product Overview
Производител:
Diodes Incorporated
Номер на част:
ZXMP10A18GTA-DG
Описание:
MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Подробно описание:
P-Channel 100 V 2.6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Инвентар:
23978 Брой Нови Оригинални На Склад
12906222
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
ZXMP10A18GTA Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Diodes Incorporated
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
150mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
26.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1055 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SOT-223-3
Опаковка / Калъф
TO-261-4, TO-261AA
Основен номер на продукта
ZXMP10
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
ZXMP10A18GDKR
ZXMP10A18GTR
ZXMP10A18GTR-NDR
ZXMP10A18GCT
ZXMP10A18GCT-NDR
ZXMP10A18GDKR-NDR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF9610PBF
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
IRFR310TR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IRF830PBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
