Номер на продукта на производителя:
FDB603AL
Product Overview
Производител:
Fairchild Semiconductor
Номер на част:
FDB603AL-DG
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробно описание:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Инвентар:
39200 Брой Нови Оригинални На Склад
12933377
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FDB603AL Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Опаковане
Bulk
Поредица
PowerTrench®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
33A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
670 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
50W (Tc)
Работна температура
-65°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-263AB
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
247
Други имена
2156-FDB603AL
FAIFSCFDB603AL
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS non-compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
FDB7042L
N-CHANNEL POWER MOSFET
HUF76129P3
N-CHANNEL POWER MOSFET
TPIC5621LDW
N-CHANNEL POWER MOSFET