Номер на продукта на производителя:
FDG312P
Product Overview
Производител:
Fairchild Semiconductor
Номер на част:
FDG312P-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Подробно описание:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Инвентар:
91890 Брой Нови Оригинални На Склад
12946840
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FDG312P Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Опаковане
Bulk
Поредица
PowerTrench®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
330 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
750mW (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SC-88 (SC-70-6)
Опаковка / Калъф
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,649
Други имена
2156-FDG312P
FAIFSCFDG312P
Екологична и износна класификация
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Свързани продукти
FDG311N
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
STE70NM60
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
IRFH7934TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
