FDMC0202S
Номер на продукта на производителя:

FDMC0202S

Product Overview

Производител:

Fairchild Semiconductor

Номер на част:

FDMC0202S-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Подробно описание:
N-Channel 25 V 22.5A (Ta), 40A (Tc) 2.3W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)

Инвентар:

15629 Брой Нови Оригинални На Склад
12946220
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

FDMC0202S Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Опаковане
Bulk
Поредица
PowerTrench®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
25 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
22.5A (Ta), 40A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2705 pF @ 13 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.3W (Ta), 52W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-PQFN (3.3x3.3)
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
1,210
Други имена
2156-FDMC0202S
FAIFSCFDMC0202S

Екологична и износна класификация

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
renesas-electronics-america

2SJ356(0)-T1-AY

2SJ356 - SIGNAL DEVICE

international-rectifier

IRFSL7730PBF

IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P

onsemi

2SK3704-1EX

MOSFET N-CH

fairchild-semiconductor

FCP260N60E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N