Номер на продукта на производителя:
FDMS8025S
Product Overview
Производител:
Fairchild Semiconductor
Номер на част:
FDMS8025S-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Подробно описание:
N-Channel 30 V 24A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентар:
92079 Брой Нови Оригинални На Склад
12946763
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FDMS8025S Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Опаковане
Bulk
Поредица
PowerTrench®, SyncFET™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
24A (Ta), 49A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3000 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-PQFN (5x6)
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
520
Други имена
2156-FDMS8025S
ONSFSCFDMS8025S
Екологична и износна класификация
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
AUIRF4104S
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
FQI4N80TU
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
FQP12N60C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
