Номер на продукта на производителя:
AUIRF3315S
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
AUIRF3315S-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Подробно описание:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентар:
12798364
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
AUIRF3315S Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
HEXFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
150 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
21A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
82mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.8W (Ta), 94W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
D2PAK
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
SP001520202
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
BSS670S2LH6433XTMA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
AUIRF7665S2TR
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
AUIRF1018ES
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
