Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
BSB280N15NZ3GXUMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
BSB280N15NZ3GXUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
Подробно описание:
N-Channel 150 V 9A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12799620
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
X
B
U
E
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
BSB280N15NZ3GXUMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
150 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
9A (Ta), 30A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
28mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 60µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1600 pF @ 75 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Работна температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Опаковка / Калъф
3-WDSON
Основен номер на продукта
BSB280
Технически данни и документи
HTML Технически лист
BSB280N15NZ3GXUMA1-DG
Технически данни
BSB280N15NZ3 G
Технически листове
BSB280N15NZ3GXUMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
5,000
Други имена
BSB280N15NZ3 GDKR-DG
BSB280N15NZ3GXUMA1CT
BSB280N15NZ3 GDKR
BSB280N15NZ3G
BSB280N15NZ3 G
BSB280N15NZ3 GTR-DG
IFEINFBSB280N15NZ3GXUMA1
BSB280N15NZ3 GCT-DG
BSB280N15NZ3 GCT
BSB280N15NZ3GXUMA1DKR
BSB280N15NZ3GXUMA1TR
SP000604534
2156-BSB280N15NZ3GXUMA1
BSB280N15NZ3 G-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
3 (168 Hours)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IRF6643TRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
10693
Номер на част
IRF6643TRPBF-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.85
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
BSL307SP
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP-6
BSC600N25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
BSC060P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON