Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
BSC035N04LSGATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
BSC035N04LSGATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Подробно описание:
N-Channel 40 V 21A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Инвентар:
15817 Брой Нови Оригинални На Склад
12799536
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
BSC035N04LSGATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
40 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
21A (Ta), 100A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 36µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
5100 pF @ 20 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TDSON-8-1
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN
Основен номер на продукта
BSC035
Технически данни и документи
HTML Технически лист
BSC035N04LSGATMA1-DG
Технически данни
BSC035N04LS G
Технически листове
BSC035N04LSGATMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
5,000
Други имена
BSC035N04LS GDKR
BSC035N04LS GTR-DG
BSC035N04LSGATMA1DKR
BSC035N04LS GCT-DG
BSC035N04LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC035N04LS G-DG
BSC035N04LSGATMA1TR
BSC035N04LS GCT
BSC035N04LS G
BSC035N04LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC035N04LSG
SP000391503
BSC035N04LSGATMA1CT
BSC035N04LS GDKR-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IAUT165N08S5N029ATMA2
MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
BSP315PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
BSF035NE2LQXUMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/69A 2WDSON
BTS247ZE3062AATMA2
MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5