Номер на продукта на производителя:
BSC0500NSIATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
BSC0500NSIATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Подробно описание:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Инвентар:
9382 Брой Нови Оригинални На Склад
12798837
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
BSC0500NSIATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
35A (Ta), 100A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3300 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TDSON-8-6
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN
Основен номер на продукта
BSC0500
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
5,000
Други имена
BSC0500NSIATMA1-DG
BSC0500NSIATMA1CT
BSC0500NSIATMA1DKR
BSC0500NSIATMA1TR
2156-BSC0500NSIATMA1TR
SP001288136
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
62-0063PBF
MOSFET N-CH 12V 15A 8SO
BSC130P03LSGAUMA1
MOSFET P-CH 30V 12A/22.5A TDSON
BSS314PEL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
