Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
BSC0921NDIATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
BSC0921NDIATMA1-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Подробно описание:
Mosfet Array 30V 17A, 31A 1W Surface Mount PG-TISON-8
Инвентар:
13276 Брой Нови Оригинални На Склад
12835785
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
BSC0921NDIATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Active
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Функция на FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Източване към източникаtage (Vdss)
30V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
17A, 31A
Rds On (макс.) @ id, vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
8.9nC @ 4.5V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1025pF @ 15V
Мощност - Макс
1W
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN
Пакет устройства на доставчика
PG-TISON-8
Основен номер на продукта
BSC0921
Технически данни и документи
HTML Технически лист
BSC0921NDIATMA1-DG
Технически данни
BSC0921NDI
Технически листове
BSC0921NDIATMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
5,000
Други имена
BSC0921NDIATMA1-DG
BSC0921NDIATMA1TR
SP000934748
BSC0921NDIATMA1CT
BSC0921NDIATMA1DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
2N7002V
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F
FDC6306P
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
FDMA1028NZ-F021
MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET