BSC0921NDIATMA1
Номер на продукта на производителя:

BSC0921NDIATMA1

Product Overview

Производител:

Infineon Technologies

Номер на част:

BSC0921NDIATMA1-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Подробно описание:
Mosfet Array 30V 17A, 31A 1W Surface Mount PG-TISON-8

Инвентар:

13276 Брой Нови Оригинални На Склад
12835785
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

BSC0921NDIATMA1 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Active
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Функция на FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Източване към източникаtage (Vdss)
30V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
17A, 31A
Rds On (макс.) @ id, vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
8.9nC @ 4.5V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1025pF @ 15V
Мощност - Макс
1W
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN
Пакет устройства на доставчика
PG-TISON-8
Основен номер на продукта
BSC0921

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
5,000
Други имена
BSC0921NDIATMA1-DG
BSC0921NDIATMA1TR
SP000934748
BSC0921NDIATMA1CT
BSC0921NDIATMA1DKR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
onsemi

2N7002DW

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88

onsemi

2N7002V

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F

onsemi

FDC6306P

MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6

onsemi

FDMA1028NZ-F021

MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET