Номер на продукта на производителя:
BSC097N06NSATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
BSC097N06NSATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Подробно описание:
N-Channel 60 V 46A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Инвентар:
35221 Брой Нови Оригинални На Склад
12848492
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
BSC097N06NSATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
46A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.3V @ 14µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1075 pF @ 30 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.5W (Ta), 36W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TDSON-8-6
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN
Основен номер на продукта
BSC097
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
5,000
Други имена
BSC097N06NSATMA1TR
SP001067004
BSC097N06NSATMA1DKR
BSC097N06NSATMA1CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
AUIRFN7110TR
MOSFET N-CH 100V 58A 8PQFN
FDD24AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
AOT2904
MOSFET N-CH 100V 120A TO220
