Номер на продукта на производителя:
BSC098N10NS5ATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
BSC098N10NS5ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Подробно описание:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Инвентар:
16419 Брой Нови Оригинални На Склад
12845345
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
BSC098N10NS5ATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
60A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.8V @ 36µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2100 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TDSON-8-7
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN
Основен номер на продукта
BSC098
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
5,000
Други имена
BSC098N10NS5ATMA1CT
BSC098N10NS5ATMA1DKR
BSC098N10NS5ATMA1TR
SP001241598
BSC098N10NS5ATMA1-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
AOD66920
MOSFET N-CH 100V 19.5A/70A TO252
NTK3043NT5G
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
AOD518
MOSFET N-CH 30V 15A/54A TO252
