Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
BSO615CGXUMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
BSO615CGXUMA1-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
Подробно описание:
Mosfet Array 60V 3.1A (Ta), 2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Инвентар:
15587 Брой Нови Оригинални На Склад
12818015
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
BSO615CGXUMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
SIPMOS®
Състояние на продукта
Last Time Buy
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция на FET
Logic Level Gate
Източване към източникаtage (Vdss)
60V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
3.1A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 20µA, 2V @ 450µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
380pF @ 25V, 460pF @ 25V
Мощност - Макс
2W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройства на доставчика
PG-DSO-8
Основен номер на продукта
BSO615
Технически данни и документи
HTML Технически лист
BSO615CGXUMA1-DG
Технически данни
BSO615CGHUMA1
Технически листове
BSO615CGXUMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
448-BSO615CGXUMA1CT
448-BSO615CGXUMA1TR
SP005353856
448-BSO615CGXUMA1DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
3 (168 Hours)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
ZXMC6A09DN8TA
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Diodes Incorporated
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
500
Номер на част
ZXMC6A09DN8TA-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.80
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
UT6J3TCR
MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
QH8KA2TCR
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
EPC2104
GANFET 2N-CH 100V 23A DIE
IRF7910PBF
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO