Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
BSZ0910NDXTMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
BSZ0910NDXTMA1-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A WISON-8
Подробно описание:
Mosfet Array 30V 9.5A (Ta), 25A (Tc) 1.9W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PG-WISON-8
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12799617
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
BSZ0910NDXTMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Obsolete
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция на FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Източване към източникаtage (Vdss)
30V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
5.6nC @ 4.5V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
800pF @ 15V
Мощност - Макс
1.9W (Ta), 31W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
8-PowerVDFN
Пакет устройства на доставчика
PG-WISON-8
Основен номер на продукта
BSZ0910
Технически данни и документи
HTML Технически лист
BSZ0910NDXTMA1-DG
Технически данни
BSZ0910ND
Технически листове
BSZ0910NDXTMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
5,000
Други имена
2156-BSZ0910NDXTMA1-448
BSZ0910NDXTMA1-DG
BSZ0910NDXTMA1CT
BSZ0910NDXTMA1TR
BSZ0910NDXTMA1DKR
SP001699886
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
BSC0924NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
BSC0993NDATMA1
MOSFET 2N-CH 17A TISON8
BSO4804
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
BSD223PH6327XTSA1
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363