BSZ0910NDXTMA1
Номер на продукта на производителя:

BSZ0910NDXTMA1

Product Overview

Производител:

Infineon Technologies

Номер на част:

BSZ0910NDXTMA1-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A WISON-8
Подробно описание:
Mosfet Array 30V 9.5A (Ta), 25A (Tc) 1.9W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PG-WISON-8

Инвентар:

12799617
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

BSZ0910NDXTMA1 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Obsolete
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция на FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Източване към източникаtage (Vdss)
30V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
5.6nC @ 4.5V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
800pF @ 15V
Мощност - Макс
1.9W (Ta), 31W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
8-PowerVDFN
Пакет устройства на доставчика
PG-WISON-8
Основен номер на продукта
BSZ0910

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
5,000
Други имена
2156-BSZ0910NDXTMA1-448
BSZ0910NDXTMA1-DG
BSZ0910NDXTMA1CT
BSZ0910NDXTMA1TR
BSZ0910NDXTMA1DKR
SP001699886

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
infineon-technologies

BSC0924NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

infineon-technologies

BSC0993NDATMA1

MOSFET 2N-CH 17A TISON8

infineon-technologies

BSO4804

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO

infineon-technologies

BSD223PH6327XTSA1

MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363