Номер на продукта на производителя:
BSZ110N08NS5ATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
BSZ110N08NS5ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Подробно описание:
N-Channel 80 V 40A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Инвентар:
56961 Брой Нови Оригинални На Склад
12799514
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
BSZ110N08NS5ATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
80 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
40A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.8V @ 22µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 40 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
50W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TSDSON-8-FL
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN
Основен номер на продукта
BSZ110
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
5,000
Други имена
BSZ110N08NS5ATMA1CT
SP001154280
BSZ110N08NS5ATMA1DKR
BSZ110N08NS5ATMA1TR
BSZ110N08NS5ATMA1-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
BSP318S E6327
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
BS7067N06LS3G
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
BSC030N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
