Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IAUT260N10S5N019ATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IAUT260N10S5N019ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Подробно описание:
N-Channel 100 V 260A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Инвентар:
3577 Брой Нови Оригинални На Склад
12800568
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
P
j
l
J
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IAUT260N10S5N019ATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
OptiMOS™-5
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
260A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.8V @ 210µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
11830 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
300W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-HSOF-8-1
Опаковка / Калъф
8-PowerSFN
Основен номер на продукта
IAUT260
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IAUT260N10S5N019ATMA1-DG
Технически данни
IAUT260N10S5N019
Технически листове
IAUT260N10S5N019ATMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,000
Други имена
IAUT260N10S5N019DKR-DG
IAUT260N10S5N019
IAUT260N10S5N019CT-DG
IAUT260N10S5N019ATMA1DKR
IAUT260N10S5N019ATMA1CT
IAUT260N10S5N019ATMA1TR
SP001676336
IAUT260N10S5N019DKR
IAUT260N10S5N019ATMA1-DG
IAUT260N10S5N019CT
IAUT260N10S5N019TR-DG
IAUT260N10S5N019TR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
IPA60R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
IPD65R190C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
IPA60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP