Номер на продукта на производителя:
IMBG65R030M1HXTMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IMBG65R030M1HXTMA1-DG
Описание:
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Подробно описание:
N-Channel 650 V 63A (Tc) 234W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Инвентар:
990 Брой Нови Оригинални На Склад
12997184
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IMBG65R030M1HXTMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
CoolSiC™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
63A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
42mOhm @ 29.5A, 18V
Vgs(th) (макс.) @ id
5.7V @ 8.8mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
49 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+23V, -5V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1643 pF @ 400 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
234W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO263-7-12
Опаковка / Калъф
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Основен номер на продукта
IMBG65
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
448-IMBG65R030M1HXTMA1DKR
448-IMBG65R030M1HXTMA1CT
448-IMBG65R030M1HXTMA1TR
SP005539165
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPF017N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
IXFT70N65X3HV
MOSFET 70A 650V X3 TO268HV
IMBG65R039M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
