Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPA60R170CFD7XKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPA60R170CFD7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Подробно описание:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентар:
255 Брой Нови Оригинални На Склад
12800854
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
y
a
e
I
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPA60R170CFD7XKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
CoolMOS™ CFD7
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
8A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
170mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 300µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1199 pF @ 400 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
26W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO220-FP
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
IPA60R
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPA60R170CFD7XKSA1-DG
Технически данни
IPA60R170CFD7
Технически листове
IPA60R170CFD7XKSA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
2156-IPA60R170CFD7XKSA1
IPA60R170CFD7
SP001617978
INFINFIPA60R170CFD7XKSA1
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPP052N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
IPB70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPB80N06S2LH5ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
BSS169L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3