Номер на продукта на производителя:
IPA65R420CFDXKSA2
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPA65R420CFDXKSA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
Подробно описание:
N-Channel 650 V 8.7A (Tc) 31.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентар:
500 Брой Нови Оригинални На Склад
12800440
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPA65R420CFDXKSA2 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
CoolMOS™ CFD2
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 300µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
31.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
870 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
31.2W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO220-FP
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
IPA65R420
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
500
Други имена
SP001977030
448-IPA65R420CFDXKSA2
IPA65R420CFDXKSA2-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPD60R1K4C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
IPC50N04S5L5R5ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
BSS87E6327
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
