Номер на продукта на производителя:
IPA80R450P7XKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPA80R450P7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
Подробно описание:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Инвентар:
242 Брой Нови Оригинални На Склад
12801521
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPA80R450P7XKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
CoolMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
800 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
11A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 220µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
770 pF @ 500 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
29W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO220-3-31
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
IPA80R450
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
SP001422558
IPA80R450P7XKSA1-DG
448-IPA80R450P7XKSA1
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
Not Applicable
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPP06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
IPP06CN10LGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
IPC80N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TDSON-8-23