Номер на продукта на производителя:
IPA80R900P7XKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPA80R900P7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Подробно описание:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Инвентар:
12812958
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPA80R900P7XKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
CoolMOS™ P7
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
800 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
6A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 110µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
350 pF @ 500 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
26W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO220-3-31
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
IPA80R900
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
SP001633482
2156-IPA80R900P7XKSA1
ROCINFIPA80R900P7XKSA1
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STF7N80K5
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
595
Номер на част
STF7N80K5-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.90
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF7422D2TRPBF
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
IPN60R2K1CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
IPW50R140CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
