IPA95R450P7XKSA1
Номер на продукта на производителя:

IPA95R450P7XKSA1

Product Overview

Производител:

Infineon Technologies

Номер на част:

IPA95R450P7XKSA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 950V 14A TO220
Подробно описание:
N-Channel 950 V 14A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Инвентар:

12815705
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

IPA95R450P7XKSA1 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
CoolMOS™ P7
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
950 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
14A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 360µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1053 pF @ 400 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
30W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO220-FP
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
IPA95R450

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
50
Други имена
SP001792306
IPA95R450P7XKSA1-DG
448-IPA95R450P7XKSA1

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
Not Applicable
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
infineon-technologies

SPB80N06S2-05

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

infineon-technologies

IRLU3714ZPBF

MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK

microchip-technology

DN3135N8-G

MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA

infineon-technologies

IPD60R950C6

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3