Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPB50R199CPATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPB50R199CPATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3
Подробно описание:
N-Channel 550 V 17A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12801306
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPB50R199CPATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
CoolMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
550 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
17A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 660µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1800 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
139W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO263-3-2
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
IPB50R199
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPB50R199CPATMA1-DG
Технически данни
IPB50R199CP
Технически листове
IPB50R199CPATMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
IPB50R199CP
IFEINFIPB50R199CPATMA1
IPB50R199CP-DG
IPB50R199CPATMA1TR
SP000236092
2156-IPB50R199CPATMA1
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STB20N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
845
Номер на част
STB20N65M5-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.46
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
BSS119L6433HTMA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPB09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IPD85P04P407ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
IPD12CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3