Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPB60R250CPATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPB60R250CPATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
Подробно описание:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12802806
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPB60R250CPATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
CoolMOS™ CP
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
12A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 440µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1200 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
104W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO263-3-2
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
IPB60R
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPB60R250CPATMA1-DG
Технически данни
IPB60R250CP
Технически листове
IPB60R250CPATMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
2156-IPB60R250CPATMA1
2156-IPB60R250CPATMA1-ITTR-DG
IPB60R250CPATMA1TR
SP000358140
IPB60R250CP-DG
INFINFIPB60R250CPATMA1
IPB60R250CP
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
R6015ENJTL
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
4
Номер на част
R6015ENJTL-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.65
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
STB18N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
916
Номер на част
STB18N60M2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.09
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
STB25N80K5
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
630
Номер на част
STB25N80K5-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
2.75
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
R6015KNJTL
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2982
Номер на част
R6015KNJTL-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.13
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRFZ44ZS
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
IRF3709STRL
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
IPD350N06LGBUMA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
IRFR4510TRPBF
MOSFET N CH 100V 56A DPAK