Номер на продукта на производителя:
IPB65R125CFD7ATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPB65R125CFD7ATMA1-DG
Описание:
HIGH POWER_NEW
Подробно описание:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентар:
12988721
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
65Vb
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPB65R125CFD7ATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
CoolMOS™ CFD7
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
19A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 420µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1694 pF @ 400 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
98W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO263-3
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
IPB65R
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
448-IPB65R125CFD7ATMA1DKR
SP005413371
448-IPB65R125CFD7ATMA1TR
448-IPB65R125CFD7ATMA1CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPTG063N15NM5ATMA1
TRENCH >=100V
S2M0080120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
C3M0040120K
1200V 40MOHM SIC MOSFET
