Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPB65R225C7ATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPB65R225C7ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Подробно описание:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12805094
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPB65R225C7ATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
CoolMOS™ C7
Състояние на продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
11A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
225mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 240µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
996 pF @ 400 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
63W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO263-3
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
IPB65R
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPB65R225C7ATMA1-DG
Технически данни
IPB65R225C7
Технически листове
IPB65R225C7ATMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
IPB65R225C7ATMA1CT
2156-IPB65R225C7ATMA1
IPB65R225C7ATMA1DKR
ROCINFIPB65R225C7ATMA1
SP000992480
IPB65R225C7ATMA1TR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STB18N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
STB18N65M5-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.32
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
IPB65R225C7ATMA2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
IPB65R225C7ATMA2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.10
Вид на замяна
Parametric Equivalent
НОМЕР НА ЧАСТ
IPB60R120P7ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2950
Номер на част
IPB60R120P7ATMA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.47
Вид на замяна
Direct
НОМЕР НА ЧАСТ
STB18N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
916
Номер на част
STB18N60M2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.09
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF7470PBF
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
IRF9Z34NLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A TO262
IRF3415PBF
MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
IPSA70R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3