Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPB90N06S4L04ATMA2
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPB90N06S4L04ATMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Подробно описание:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентар:
1281 Брой Нови Оригинални На Склад
12800714
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPB90N06S4L04ATMA2 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
90A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.2V @ 90µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
13000 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
150W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO263-3-2
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
IPB90N06
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPB90N06S4L04ATMA2-DG
Технически данни
IPx90N06S4L-04
Технически листове
IPB90N06S4L04ATMA2
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
2156-IPB90N06S4L04ATMA2
INFINFIPB90N06S4L04ATMA2
448-IPB90N06S4L04ATMA2CT
SP001028756
448-IPB90N06S4L04ATMA2TR
IPB90N06S4L04ATMA2-DG
448-IPB90N06S4L04ATMA2DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPA70R450P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 10A TO220
IPB80P04P4L06ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
IPD65R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3
IPB136N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 45A D2PAK