Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPC100N04S5L1R9ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Подробно описание:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Инвентар:
74514 Брой Нови Оригинални На Склад
12804595
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
H
f
j
a
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPC100N04S5L1R9ATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Not For New Designs
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
40 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
100A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 50µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4310 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
100W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TDSON-8-34
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN
Основен номер на продукта
IPC100
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPC100N04S5L1R9ATMA1-DG
Технически данни
IPC100N04S5L-1R9
Технически листове
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
5,000
Други имена
IPC100N04S5L1R9ATMA1TR
2156-IPC100N04S5L1R9ATMA1
IPC100N04S5L1R9ATMA1CT
INFINFIPC100N04S5L1R9ATMA1
SP001360570
IPC100N04S5L1R9ATMA1DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
CSD18502Q5BT
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Texas Instruments
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1325
Номер на част
CSD18502Q5BT-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.14
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPD60R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
IPD068P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
IRF8327STR1PBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
IPZA60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4