Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPD053N08N3GBTMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPD053N08N3GBTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Подробно описание:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12801165
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPD053N08N3GBTMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
80 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
90A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 90µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4750 pF @ 40 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
150W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO252-3
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
IPD053N
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPD053N08N3GBTMA1-DG
Технически данни
IPD053N08N3 G
Технически листове
IPD053N08N3GBTMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
IPD053N08N3 GTR-DG
IPD053N08N3 G-DG
IPD053N08N3G
IPD053N08N3GBTMA1DKR
SP000395183
IPD053N08N3 GCT-DG
IPD053N08N3 G
IPD053N08N3GBTMA1CT
IPD053N08N3 GDKR
IPD053N08N3GBTMA1TR
IPD053N08N3 GCT
IPD053N08N3 GDKR-DG
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IPD053N08N3GATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
15378
Номер на част
IPD053N08N3GATMA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.03
Вид на замяна
Parametric Equivalent
НОМЕР НА ЧАСТ
FDD86367-F085
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
943
Номер на част
FDD86367-F085-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.78
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPB80N06S3-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB25N06S3-25
MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3
BSZ034N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
IPD50P04P413ATMA1
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3