Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPD100N04S4L02ATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPD100N04S4L02ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Подробно описание:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Инвентар:
2219 Брой Нови Оригинални На Склад
12800904
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPD100N04S4L02ATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
40 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
100A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.2V @ 95µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
12800 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
150W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO252-3-313
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
IPD100
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPD100N04S4L02ATMA1-DG
Технически данни
IPD100N04S4-02
Технически листове
IPD100N04S4L02ATMA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
2156-IPD100N04S4L02ATMA1
448-IPD100N04S4L02ATMA1DKR
IPD100N04S4L02ATMA1-DG
448-IPD100N04S4L02ATMA1TR
448-IPD100N04S4L02ATMA1CT
SP001238380
INFINFIPD100N04S4L02ATMA1
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPB033N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
IPB60R180C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
IPD09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPB60R099CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3