Номер на продукта на производителя:
IPD30N06S215ATMA2
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPD30N06S215ATMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Подробно описание:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентар:
4675 Брой Нови Оригинални На Склад
12804172
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Jkug
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPD30N06S215ATMA2 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
55 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
30A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 80µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1485 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
136W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO252-3-11
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
IPD30N06
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
SP001061724
IPD30N06S215ATMA2DKR
2156-IPD30N06S215ATMA2
IPD30N06S215ATMA2TR
IPD30N06S215ATMA2CT
IPD30N06S215ATMA2-DG
INFINFIPD30N06S215ATMA2
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPP037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
IRF2907ZLPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO262
IPD036N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
