Номер на продукта на производителя:
IPD35N12S3L24ATMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPD35N12S3L24ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Подробно описание:
N-Channel 120 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентар:
9685 Брой Нови Оригинални На Склад
12800948
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPD35N12S3L24ATMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
OptiMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
120 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
35A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
24mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.4V @ 39µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
71W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PG-TO252-3
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
IPD35N12
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
IPD35N12S3L24ATMA1CT
2156-IPD35N12S3L24ATMA1
IPD35N12S3L24ATMA1DKR
SP001398656
IPD35N12S3L24ATMA1TR
INFINFIPD35N12S3L24ATMA1
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPL60R095CFD7AUMA1
MOSFET N CH
IPB05N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
IPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7